ผสมผสานหลายผลิตภัณฑ์ บริการครบวงจร
การควบคุมคุณภาพสูง เติมเต็มความต้องการของลูกค้า

ขาย
ขออ้าง - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

บ้าน
สินค้า
เกี่ยวกับเรา
ทัวร์โรงงาน
ควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
ขออ้าง

Categories: หมวดหมู่ทั้งหมด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์คริสตัล

ไดโอดอิเล็กทรอนิกส์และทรานซิสเตอร์

ไมโครคอนโทรลเลอร์ยูนิต MCU

การจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำแฟลช

ขั้วต่อบอร์ด PCB

วงจรรวม SMD

โมดูลอิเล็กทรอนิกส์ดิจิตอล

MOSFET กำลังสูง

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ LED

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ

Fpc วงจรพิมพ์ยืดหยุ่น

บริการประกอบ PCB

บอร์ดแสดงผลดิจิตอลอิเล็กทรอนิกส์

รีเลย์ไฟสัญญาณ

สวิตช์ DIP SMD

เครื่องมือสำหรับผู้พัฒนา

สายไฟ UL

เซนเซอร์ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

สลิปแหวนแอสเซมบลี

บ้าน ผลิตภัณฑ์ไดโอดอิเล็กทรอนิกส์และทรานซิสเตอร์

NX7002AK NEXPERIA ทรานซิสเตอร์สนามผล FET SOT23 TO-236AB ติดตั้งบนพื้นผิวD

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์คริสตัล (67)

ไดโอดอิเล็กทรอนิกส์และทรานซิสเตอร์ (26)

ไมโครคอนโทรลเลอร์ยูนิต MCU (33)

การจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำแฟลช (20)

ขั้วต่อบอร์ด PCB (21)

วงจรรวม SMD (159)

โมดูลอิเล็กทรอนิกส์ดิจิตอล (6)

MOSFET กำลังสูง (2119)

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ LED (21)

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ (21)

Fpc วงจรพิมพ์ยืดหยุ่น (6)

บริการประกอบ PCB (2)

บอร์ดแสดงผลดิจิตอลอิเล็กทรอนิกส์ (6)

รีเลย์ไฟสัญญาณ (12)

สวิตช์ DIP SMD (25)

เครื่องมือสำหรับผู้พัฒนา (6)

สายไฟ UL (2)

เซนเซอร์ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (20)

สลิปแหวนแอสเซมบลี (13)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

NX7002AK NEXPERIA ทรานซิสเตอร์สนามผล FET SOT23 TO-236AB ติดตั้งบนพื้นผิวD

ภาพใหญ่ : NX7002AK NEXPERIA ทรานซิสเตอร์สนามผล FET SOT23 TO-236AB ติดตั้งบนพื้นผิวD ราคาถูกที่สุด

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	จีน
ชื่อแบรนด์:	NEXPERIA
หมายเลขรุ่น:	NX7002AK

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	จำนวนแพ็คเกจ
ราคา:	contact sales for updated price
รายละเอียดการบรรจุ:	เทปและรีล
เวลาการส่งมอบ:	2 สัปดาห์
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที
สามารถในการผลิต:	1,000+

ติดต่อ

รายละเอียดสินค้า

เน้น:

NEXPERIA ทรานซิสเตอร์สนามผล

ทรานซิสเตอร์สนามผลสนามติดพื้นผิว

NX7002AK

NX7002AK NEXPERIA โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel Field-Effect Transistor (FET) ใน SOT23 ขนาดเล็ก (TO-236AB) Surface-Mounted D

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของผลิตภัณฑ์

สหภาพยุโรป RoHS	ได้มาตรฐาน
ECCN (สหรัฐอเมริกา)	EAR99
สถานะชิ้นส่วน	คล่องแคล่ว
SVHC	ใช่
ยานยนต์	ไม่
PPAP	ไม่
ประเภทสินค้า	สัญญาณขนาดเล็ก
การกำหนดค่า	เดี่ยว
เทคโนโลยีกระบวนการผลิต	TMOS
โหมดช่อง	การเพิ่มประสิทธิภาพ
ประเภทช่อง	นู๋
จำนวนองค์ประกอบต่อชิป	1
แรงดันแหล่งจ่ายสูงสุด (V)	60
แรงดันแหล่งเกตสูงสุด (V)	20
แรงดันเกทสูงสุด (V)	2.1
กระแสไฟระบายต่อเนื่องสูงสุด (A)	0.19
กระแสไฟรั่วของแหล่งกำเนิดเกตสูงสุด (nA)	2000
IDSS สูงสุด (uA)	1
ความต้านทานแหล่งระบายน้ำสูงสุด (MOhm)	4500@10V
ค่าเกตทั่วไป @ Vgs (nC)	0.33@4.5V
ความจุอินพุตทั่วไป @ Vds (pF)	15@10V
การกระจายพลังงานสูงสุด (mW)	325
เวลาตกโดยทั่วไป (ns)	5
เวลาเพิ่มขึ้นโดยทั่วไป (ns)	7
เวลาหน่วงเวลาปิดเครื่องโดยทั่วไป (ns)	11
เวลาหน่วงการเปิดเครื่องโดยทั่วไป (ns)	6
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ (°C)	-55
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด (°C)	150
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน
แพ็คเกจซัพพลายเออร์	SOT-23
นับปักหมุด	3
ชื่อแพ็คเกจมาตรฐาน	SOT
การติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
ความสูงของบรรจุภัณฑ์	1(สูงสุด)
ความยาวของแพ็คเกจ	3(สูงสุด)
ความกว้างของบรรจุภัณฑ์	1.4(สูงสุด)
PCB เปลี่ยนไป	3
รูปร่างตะกั่ว	ปีกนกนางนวล