 |
|
|
|
 |
1XXA26000MEA KDS Crystal ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ 26MHz 10pF SMD2520-4P2022-03-15 14:42:34 |
|
|
8Z1660002 TXC Crystal ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ 16MHZ 9pF 10ppm SMD2520-4P2022-03-15 14:42:34 |
|
|
การจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำแฟลช Micron MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.1092022-03-15 14:43:06 |
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 โตชิบา Parallel Nand Flash 1.8V 1G บิต 128M X 8 67 Pin VFBGA2022-03-15 14:43:06 |
|
|
|
|
KMFN60012B-B214 การจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำแฟลช SAMSUNG SMD2022-03-15 14:43:06 |
|
|
MT29GZ5A5BPGGA 53IT.87J ไมครอน NAND ตาม MCP ตามมาตรฐาน RoHS ของสหภาพยุโรป2022-03-15 14:43:06 |
|
|
KMQE60013B-B318 หน่วยความจำแพ็คเกจมัลติชิป SAMSUNG MCP2022-03-15 14:43:06 |
|
|
MT29GZ5A5BPGGA 046IT การจัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำแฟลช, NAND ตาม Micron MCP2022-03-15 14:43:06 |
|
|
IAM-20680 Imu หน่วยวัดแรงเฉื่อย 1.8V ยานยนต์ 16 ขา LGA T / R2022-03-15 14:43:28 |
